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矢野 雅大; 保田 諭; 町田 真一*; 寺澤 知潮; 朝岡 秀人
no journal, ,
グラフェンナノリボンの形成方位を規定するために、Si(110)-16
2再構成構造表面上でグラフェンナノリボンの合成を行った。先駆物質には6,11-dibromo-1,2,3,4-tetraphenyltriphenyleneを用い、それぞれから合成されたグラフェンナノリボンの構造を走査型トンネル顕微鏡(STM)も用いて計測した。これにより、半導体基板上でグラフェンナノリボンの合成が可能であることを初めて示した。
神谷 潤一郎; 引地 裕輔*; 和田 薫*
no journal, ,
J-PARC加速器ではチタン材を低放射化性能を持つ超高真空材料という理由からビームライン真空ダクトの材料として用いている。チタンは気体分子を吸着するゲッター材であるが、通常表面が酸化膜に覆われておりゲッター機能は持っていない。この酸化膜を除去することで、ビームパイプ自身を真空ポンプとして活用できる可能性がある。これによりビームラインが連続的な真空ポンプとなり超高真空を安定的に維持することができ、加速器のさらなる安定運転に帰することとなる。実験によりアルゴン雰囲気でスパッタリングすることで表面チタン酸化膜を除去することができ、10-9Pa台の超高真空を達成することができた。さらに加速器にインストールするために避けては通れない大気暴露の影響等を実測した。本発表では、チタン製真空容器をゲッターポンプとして用いる手法とその結果および今後の課題について報告を行う。
寺澤 知潮; 保田 諭; 林 直輝*; 乗松 航*; 伊藤 孝寛*; 町田 真一*; 朝岡 秀人
no journal, ,
炭素六員環の単原子層であるグラフェンは高いキャリア移動度や光透過率などの特性から次世代半導体材料として期待されている。グラフェンの光透過率は波長によらず2.3%と一定であるが、光デバイスへの応用のためには波長選択性が求められる。本研究ではAu(001)表面が再構成したHex-Au(001)構造に着目し、1.44nm周期の擬一次元周期ポテンシャルを持つHex-Au(001)構造がグラフェンのバンド構造と放射率に及ぼす変調を角度分解光電子分光(ARPES)法と熱放射光の顕微観察により明らかにすることを目的とした。Hex-Au(001)構造上にエピタキシャルに成長したグラフェンのARPES測定において、0.85eV付近に
バンドの不連続が観測された。一方、グラフェンがランダムな方位に成長した場合のARPES測定においてはグラフェンのバンドは連続であった。以上の結果は、Hex-Au(001)構造によるグラフェンのバンド構造の変調を示している。
植田 寛和; 笹川 裕矢*; Ivanov, D.*; 大野 哲*; 福谷 克之
no journal, ,
一般的に平坦な金属表面では水素分子は解離吸着をするが、Pd(210)表面のようなステップ構造をもつ表面では、解離吸着のほか、分子状化学吸着することが知られている。本研究では、分子線, 光刺激脱離レーザーおよび共鳴多光子イオン化法を用いて、Pd(210)表面に分子状化学吸着した水素の回転状態を調べる。発表では、得られた光脱離水素分子の回転状態から化学吸着した水素分子の核スピン転換について議論する予定である。
2再構成構造の面内異方性その場観察朝岡 秀人; 矢野 雅大; 寺澤 知潮; 保田 諭
no journal, ,
Si(110)-"162"再構成表面は1原子層のステップを含む1次元構造を有する。Si(110)-"162"構造表面へ原子状水素を暴露し、水素終端Si(110)-11構造生成に伴う歪みとストレス変移過程のその場観察に成功した。その結果、水素終端Si(110)11構造に対する再構成構造の異方性歪みとストレスを明らかにした。さらに異方性ストレスによるナノ構造制御についても議論をする